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    北京理工大學何汝杰:先驅體轉化SiOC陶瓷微點陣結構3D打印精度與力學性能

    更新時間:2024-05-24點擊次數:676

    研究背景與意義:

    先驅體轉化SiOC陶瓷材料 (PDC-SiOC) 具有優異的抗氧化性、熱穩定性和力學性能,有望作為航空航天耐高溫材料。近年來,具有人工設計周期性結構的點陣結構因其表現出優異的力學性能,已成為結構力學領域的研究熱點之一。然而,傳統機械加工的方法難以實現復雜結構PDC-SiOC點陣結構的高精度制造。

    3D打印能夠實現復雜結構陶瓷材料的一體化成型,尤其在復雜陶瓷點陣結構制造領域表現出巨大優勢。其中,光固化3D打印技術具有最高的成型精度,適用于PDC-SiOC點陣結構的高精度制造。然而,一方面,目前關于PDC-SiOC陶瓷點陣結構3D打印的制造精度及力學性能仍存在較多限制,結構特征尺寸一般為幾百微米。隨著PDC-SiOC結構及器件向著小型化發展,特征尺寸通常要小于100 μm甚至更小,雖然目前已有雙光子光刻等高精度3D打印方法,但制備的材料尺寸過小、難以應用。另一方面,目前報道的PDC-SiOC點陣結構力學性能較弱,壓縮強度一般僅有0.06 ~ 10MPa。亟待開展高精度、高強度3D打印PDC-SiOC微點陣結構研究。

    研究內容:

    針對以上問題,北京理工大學何汝杰教授使用摩方精密面投影微立體 (PμSL) 光刻3D打印技術(nanoArch® S140pro,精度:10 μm)對PDC-SiOC微點陣結構的高精度制造工藝進行了研究。采用蘇丹III作為光吸收劑,對光敏前驅體進行改性并光固化3D打印。結果表明,蘇丹III對改性光敏樹脂的紫外光吸收、流變行為與光固化過程影響顯著。通過精準控制蘇丹III加入量,能夠有效調控PDC-SiOC微點陣的3D打印精度。隨著蘇丹III含量從0.02 wt.%增加到0.06 wt.%,3D打印精度由180%提高到12.5%,實現了PDC-SiOC微點陣的高精度制造。


    圖1 (a) 環氧硅酮樹脂改性過程及 (b) PDC-SiOC微點陣3D打印工藝。




    圖2 (a) 點陣結構模型;(b) 模型切片圖片;蘇丹III添加量為 (c) 0%、(d) 0.02%、(e) 0.04%、(f) 0.06%、(g) 0.08時微點陣結構x-y及x-z平面顯微圖像;(h) 不同蘇丹III添加量下打印精度變化;(i-l) 不同蘇丹III添加量下微點陣SEM圖像及(m) 添加量為0.06%時微點陣EDS圖像。




    圖3 不同蘇丹III添加量下改性光敏樹脂 (a)紫外吸收光譜圖及 (b) 光固化機理;(c) 改性光敏樹脂流變行為及 (d) 不同粘度下光固化機理。



    此外,研究人員還通過XRD、拉曼、FTIR等表征手段對先驅體聚合物的陶瓷化過程進行了研究。熱解過程中先驅體聚合物表面的C-H、C=O、Si-O等有機官能團發生斷裂,并以小分子氣體的形式釋放出,造成聚合物熱解質量損失 (約73.5%) 及體積收縮 (約43%) 。熱解后所得PDC-SiOC微點陣結構未被破壞,且結構為無定型。


    圖4 熱解前后 (a) XRD及 (b) 拉曼光譜圖;(c) 先驅體聚合物TG-DTG圖像;(d) 熱解前后FT-IR圖像;添加量為0.06%和0.08%時 (e) 熱解后PDC-SiOC顯微圖像及 (f) 熱解收縮率。



    研究人員進一步嘗試對PDC-SiOC微點陣在更小的尺度進行高精度制造,成功制備出具有不同特征尺寸的微點陣結構。獲得的PDC-SiOC微點陣結構桿徑尺寸52 ~ 220 μm。此外,研究人員對PDC-SiOC微點陣結構在小尺度下的力學強度增強效應進行了研究。結果表明,隨著桿徑從220 μm減小到52 μm,微點陣結構的抗壓強度從8 MPa提高到31 MPa。Branicio等人的報道指出,脆性陶瓷在破壞過程中形成的微裂紋產生于位錯線性成核。尺寸效應可能是由于破壞過程中材料微區出現的“位錯饑餓"現象。與更大桿徑尺寸相比,位錯在小尺寸桁架移動和繁衍過程中更趨向于材料表面,從而使PDC-SiOC微點陣力學強度增加。


    圖5 不同特征尺寸下PDC-SiOC微點陣結構 (a-e) 模型圖;(f-o) 宏觀照片;(p-f) 顯微圖像。




    圖6 不同特征尺寸下PDC-SiOC微點陣結構掃描電鏡圖。




    圖7 不同特征尺寸先驅體聚合物熱解收縮率、熱解前后表觀密度及熱解后相對密度。




    圖8 (a) 壓縮應力-應變曲線;(b) 原位壓縮實驗; (c) 壓縮后微點陣結構掃描電鏡圖;(d) 小尺度力學強度增強原理圖。



    與現有報道相比,研究團隊制備的3D打印PDC-SiOC微點陣結構打印精度更高、力學性能更好,為高精度、高強度PDC-SiOC的研究工作提供了指導和啟發,并為PDC-SiOC微型器件的應用提供制造基礎。


    圖9 點陣結構相對密度-壓縮強度及桿徑-壓縮強度Ashby圖。


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